全球首款6层堆叠混合CMOS芯片问世

2025年10月21日，特阿卜杜拉国王科技大学宣布成功研制全球首个6层堆叠式混合CMOS芯片。该芯片面向大面积电子器件，突破了此前未超过两层的技术瓶颈。此次创新大幅提升了芯片集成密度与能效，有助于推动电子设备向更小型化、高性能方向发展。研究团队通过先进的微芯片设计实现多层垂直集成，为下一代电子系统提供了关键技术支持。